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三星突破10纳米DRAM瓶颈_蜘蛛资讯网

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混合键合(PUC)集成,字线材料仍在钼(Mo)与氮化钛(TiN)间评估。          竞争方面,SK海力士拟于10b节点引入4F²+VCT,美光维持现有设计,中国厂商因EUV受限则直接布局3D DRAM。工作晶片落地将显著加速三星10a开发与量产进程。

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发布时间:21:04:32